CDM22010-650 SL
/MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm
CDM22010-650 SL的规格信息
制造商:Central Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:10 A
Rds On-漏源导通电阻:880 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
Qg-栅极电荷:20 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:156 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:CDM
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Central Semiconductor
下降时间:36 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:33 ns
工厂包装数量:750
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:57 ns
典型接通延迟时间:20 ns
单位重量:6 g
CDM22010-650 SL
CDM22010-650 SL的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Digi-Key 得捷电子 | CDM22010-650 SL | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | $2.21000 |
 Mouser 贸泽电子 | CDM22010-650 SL | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm | 1:¥14.7578 10:¥13.0628 100:¥10.4525 500:¥9.2208
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